5月12日，据《朝鲜日报》等多家韩国媒体报道，三星电子已从今年3月起，逐步停止其位于韩国华城校区12号产线的2D NAND生产，并将该设施改造为1c DRAM（第6代10纳米级DRAM）的“End Fab”后端工厂。
报道称，这条月产能8万至10万片晶圆的生产线，是三星最后一座2D NAND基地。它的关闭标志着自2002年三星全球首次量产1Gb NAND闪存以来，长达24年的2D NAND时代正式宣告终结。
三星的停止2D NAND生产非孤立事件。其决策与MLC NAND产品的停产紧密挂钩。MLC（多阶存储单元）每单元存储2比特数据，虽然容量不及TLC（3比特）和QLC（4比特），但数据保持能力和耐久性远优于后者，一直是对可靠性要求苛刻的医疗设备、工业机器人等市场的“标配”。然而，由于利润微薄，三星已向客户发出MLC NAND停产通知，预计2026年6月完成最后出货后全面停止供应。
紧随其后，日本铠侠（Kioxia）也在今年3月正式通知客户逐步退出2D NAND市场。根据通知，客户最后下单截止日为2026年9月30日，最终出货将延续至2028年12月31日，2029年起全面撤出。此次停产范围极广，涵盖32纳米、24纳米、15纳米制程的SLC、MLC、TLC全类型产品，以及裸晶圆、BGA、TSOP封装乃至eMMC、UFS、SD卡等全形态产品，属于整条旧世代技术平台的全面退役。
美光同样也在收缩，目前仅按现有客户需求维持MLC NAND生产。同时美光还正式终止旗下消费品牌“Crucial”业务，将旧制程晶圆产能全面转向AI数据中心所需的先进存储器。
价格暴涨300%，恐慌性囤货已至
大厂的退出速度远超市场技术迭代的步伐。市场调研机构TrendForce预测，2026年全球MLC NAND产能将比前一年骤降41.7%。更严峻的是，三星和美光在淘汰旧设备时，拒绝向外界授权核心的MLC制造技术，新玩家几乎无法入场填补缺口。
供需失衡已直接引爆价格。部分SLC和MLC产品单月涨幅达两位数，MLC 64Gb现货价格从2025年底的约6美元飙升至20至28美元区间，涨幅超过300%，“恐慌性囤货”已达到顶峰。
Digitimes今年3月曾报道称，虽然国际大厂淡出低容量的2D NAND旧制程产线，SLC/MLC NAND价格暴涨。其中，MLC NAND今年一季度价格翻倍上涨，第二季度价格预计将再2倍翻涨，只要有产能释出，就立刻被客户抢走，市场缺口难以补足，若累计从2025年起至今，价格几乎涨了10倍。
华邦电子成最大赢家
2D NAND市场留下的巨大缺口，正在向仍坚守这一领域的中国台湾厂商转移。据台媒《经济日报》报道，华邦电子长期专注浮栅式架构SLC NAND利基市场，产品覆盖1Gb至8Gb容量，擅长车用电子、工业控制等需要高耐用度与高温稳定性的场景，被业界视为承接铠侠退出后转单最多的赢家。旺宏电子同样具备19纳米2D NAND制程能力，产品覆盖2Gb至32Gb，亦将同步受益。
此外，中国大陆的兆易创新、东芯股份、普冉股份等也将从中受益。其中，兆易创新同时布局SLC/MLC NAND，东芯股份专注于中小容量SLC/MLC NAND，普冉股份主打中小容量SPI SLC NAND。
一位半导体行业人士对此评论称：“资源向高附加值AI存储器的集中，正在瓦解支撑实体经济的传统存储市场。家电和汽车制造商的成本压力及供应链风险，至少将持续到明年。”
编辑：芯智讯-浪客剑
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