在AI大模型掀起全球算力狂潮的当下，作为数据传输“血管”的高速光模块，已跃升为产业竞争的战略新高地。

近日，国内光器件龙头企业光迅科技正式宣布一项重大产业布局：共投资67.5亿元（全部为企业自筹资金），将建设高端光电子硅光芯片器件研发与产业基地，专注于为AI智算中心及算力网络打造新一代高速光模块，同步覆盖硅光集成与EML两大技术路线，最高速率直指3.2T。

根据规划，该基地的核心任务，是实现基于“高速VCSEL、硅光集成芯片”与“EML技术方案”的800G、1.6T、3.2T光模块的研发与产业化。这清晰地表明，在备受关注的硅光与磷化铟（InP）EML路线之间，光迅科技并未简单做出“二选一”，而是选择了双轨并行的坚定策略。

对此，项目技术负责人解读道：“这恰恰折射出当前AI光互联场景对技术多样性的本质需求。基于高速VCSEL、硅光集成方案，在短距高速互联中展现出低功耗和低成本的显著潜力；而EML方案在长距传输与相干应用中成熟可靠。我们交付的不是单纯的光芯片，而是能灵活适配智算中心不同层级互联需求的光模块产品。”

值得特别关注的是公告中实现基于“高速VCSEL、硅光集成芯片的800G、1.6T、3.2T光模块的研发与产业化”这一表述。2024年以来，长波长VCSEL（如1310nm波段）和高速多模VCSEL取得关键突破，单通道速率已推至112Gbps甚至224Gbps PAM4。更重要的是，可利用硅基光波导实现多通道合路、波分复用等功能，以极低损耗实现多通道并行传输。这意味着，未来一个“VCSEL硅光集成引擎”或可在单颗芯片上实现8×200G共1.6T甚至16×200G共3.2T的短距光互联，可弱化对TEC制冷的刚性需求、无需复杂的密封封装，成本与功耗较EML方案有望大幅下降。

光迅科技将其与成熟的EML方案双轨并行，既是看准了这条路线在未来超大规模AI集群中“成本功耗双杀”的巨大潜力，也是为了充分发挥自身从光芯片到光模块的垂直整合优势，率先在高速VCSEL硅光集成上构筑技术代差和专利壁垒，从而在这场围绕AI算力互联的技术竞赛中，抢先锁定短距市场的性能与成本制高点。

为支撑这一宏大计划，光迅科技将新建办公楼、研发中心、生产厂房及配套设施，并计划投入各类研发与生产设备仪器达18000台（套），资金占比高达总投资86.8%。如此量级的投资与设备矩阵，表明其决心绝不止于研发样品，更瞄准了面向AI算力市场的规模化稳定交付能力。从800G到1.6T再到3.2T，速率代际演进正全面提速。光迅科技此次一举锁定三代速率平台，并同步构筑产能，意在抢占下一代AI集群光互联的关键时间窗口。

作为中国信科集团旗下的核心企业，光迅科技拥有从光芯片到子系统的垂直整合能力。内部人士直言，目标不是做出3.2T样机，而是建成一个可大规模稳定交付、从芯片源头全链条把控高效率的产业平台。

联 系 我 们

contact us

yy易游平台，易游体育网址，

yy体育相关资讯：易游体育网页版，