随着数据中心对NAND闪存的需求激增，日本铠侠控股公司正寻求凭借其在竞争对手之前实现商业化的新技术重新夺回市场份额。

铠侠将于周二举行一年来的首次投资者战略说明会。自上次说明会以来，该公司股价已上涨34倍，此次说明会备受投资者关注。这家存储芯片供应商预计将介绍其技术发展路线图。

“我们之所以先于其他公司进行投资，是因为我们相信NAND闪存的未来潜力。与竞争对手相比，我们拥有压倒性的优势，”铠侠的一位工程师表示，他对三星电子等竞争对手充满信心。

用于长期数据存储的NAND闪存，其竞争长期以来一直集中在通过垂直堆叠存储单元来提高存储容量。这项堆叠技术由铠侠的前身东芝于2007年开发。然而，铠侠近年来在堆叠层数方面被认为落后于竞争对手。

2023年春季，铠侠宣布研发出一款218层结构的橡胶产品。同年夏季，韩国SK海力士也宣布研发出一款超过300层结构的橡胶产品。铠侠目前的主要产品仍采用218层结构。

由于难以在层数方面超越竞争对手，铠侠凭借其粘合技术找到了新的发展道路。

除了存储信息的存储单元外，NAND闪存还包含控制数据输入和输出的电路。这些存储单元和控制电路通常形成在同一片硅片上，该硅片用作衬底。

铠侠的CBA键合技术，是将存储单元和控制电路分别制作在不同的晶圆上，然后将两片晶圆键合在一起。这使得晶圆上存储单元和其他组件的布局更加高效，从而提高了NAND闪存的存储密度。

晶圆键合无错位以及两层电路的连接都需要极高的精度。铠侠抢先竞争对手实现了这项技术的商业化。

“铠侠NAND闪存的读写速度比竞争对手快20%到30%左右，”岩井证券高级分析师斋藤和义表示。

铠侠（Kioxia）在2023年底发布其CBA技术时，业内一些人士反应冷淡，认为堆叠式存储才是更直接有效的方案。但随着NAND闪存处理速度对人工智能的重要性日益凸显，CBA技术也逐渐成为关注焦点。

这家日本公司的旗舰产品已经采用了这项技术。“随着人工智能服务器的普及，需求将持续增长，”分析师铃木俊哉表示。

三星电子等竞争对手将投资重点放在DRAM上，因为在人工智能蓬勃发展的早期阶段，DRAM的需求激增。这对铠侠来说是个优势，因为其竞争对手在NAND技术研发方面的投资速度较慢。

但铠侠(Kioxia)面临着市场份额停滞不前的挑战。据台湾市场研究公司TrendForce的报告显示，该公司在今年1月至3月季度的全球NAND闪存营收排名中位列第三，市场份额为13.9%，落后于全球领先者三星的31.6%。

铠侠在数据中心领域的客户基础相对较弱，这被认为减缓了价格上涨的传导速度。此外，人工智能领域对NAND闪存的需求激增预计要到2025年秋季左右才会开始，这意味着铠侠的新技术尚未得到充分评估。

三星电子和SK海力士利用其强大的产能与买家签订了长期合同，这使得铠侠难以迅速夺回市场份额。这家日本公司需要凭借其自主研发的技术来赢得数据中心客户的青睐。

（来源：编译自日经）

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