（来源：第三代半导体产业）
当前，新能源汽车、智能电网、轨道交通等高压应用场景进入爆发式增长期，市场对高耐压、低损耗功率半导体的需求正在冲破天际。作为超宽禁带半导体的核心代表，氧化镓凭借低导通损耗、高击穿电场的先天优势，被认为是下一代高压功率电子的战略材料，成为全球半导体赛道竞争的新焦点。
技术多点突破加速落地，国产氧化镓迎来产业化关键窗口期
作为第四代超宽禁带半导体标杆材料，氧化镓是我国实现功率半导体赛道换道领跑、打破海外材料垄断的核心突破口。‘十五五’规划纲要中，我国明确提出“加快宽禁带半导体产业提质升级，推动氧化镓、金刚石等超宽禁带半导体产业化发展”。在顶层政策扶持与产业资本持续加码双重驱动下，国内产线落地、产能扩产驶入快车道，行业正式迈入从实验室技术攻关走向产业化落地的关键周期，全产业链每一项技术突破都牵动全球超宽禁带产业格局走向。
图：富加镓业12英寸氧化镓单晶（直径305mm）国内产学研与头部企业多点开花、成果密集落地，国产化自主化进程提速显着。富加镓业率先实现装备自研突破，推出全球首款搭载 “一键长晶” 功能的 EFG 专用长晶设备，可覆盖 2–8 英寸氧化镓晶体量产需求；同步自研全自动 VB 晶体生长装备，在国内率先攻克 12 英寸大尺寸单晶制备壁垒，实现超大规格 VB 法单晶稳定量产。近期，其联合科研院所攻关的声子辅助吸收光电导开关技术成果登上国际权威光学期刊封面，实现氧化镓近 100% 电压转化效率的突破性指标；依托持续技术沉淀，富加镓业打通衬底 - 外延 - 器件 - 终端应用全产业链闭环，产品已进入下游客户器件可靠性验证阶段。
图：镓仁半导体8英寸氧化镓同质外延片杭州镓仁凭借独创铸造法生长工艺，全球首发8英寸氧化镓单晶衬底，刷新大尺寸衬底量产技术路线；深圳平湖实验室落地技术攻关，成功研制耐压超万伏的Mg掺杂氧化镓光导开关，夯实高压器件国产化根基；三安光电联动西安电子科技大学、杭州镓仁组建产学研联合体，顺利攻克同质外延孪晶缺陷行业痛点，在2英寸衬底上制备出高品质同质外延层，为行业规模化商用扫清关键工艺障碍，让氧化镓产业化落地路径愈发清晰。
图：Mg掺杂氧化镓光导开关器件（图源深圳平湖实验室）放眼长远，氧化镓产业化征程机遇与挑战并存。现阶段行业仍面临多重共性难题：大尺寸单晶稳定制备工艺难度偏高、同质外延层缺陷精准管控技术待精进、p 型有效掺杂仍是全球性技术瓶颈、上游制造成本居高不下等问题持续制约量产提速。但随着新能源高压工控、特高压电网、车载 800V 平台、航天军工等下游应用需求爆发，技术瓶颈的持续突破将同步打开广阔市场空间，行业长期成长逻辑稳固，国产氧化镓有望依托全链创新优势抢占全球产业主导权。
恰逢其时，2026年6月25-27日，2026功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2026）将在上海召开。大会特别设置氧化镓专题分会，覆盖氧化镓从基础研究、技术突破到产业化落地的全链条议题，汇聚产学研用合力，共议共性技术难题，破解氧化镓产业化密码，抢占超宽禁带半导体发展先机。
硬核议题全覆盖，强大阵容共话未来
CSPSD 2026会议直击产业核心环节，覆盖氧化镓产业化的完整链路，将深度解码从关键技术到商业落地。材料端突破，从12英寸单晶到6英寸商用外延片，探讨降本增效、提升质量的产业化核心。器件端创新，横向与垂直器件并举，从kV级耐压、安培级电流到吉赫兹频率，全方位展示性能边界拓展；可靠性攻坚，围绕电场调控、终端保护、异质集成与先进封装，集中研讨提升器件可靠性、解决散热难题的系统性方案；应用与商业化闭环，结合具体电源应用案例与商业化路径分析，推动技术价值向市场价值转化。探讨产业链协同降本、下游场景落地的路径与机遇。
目前已确认多位重量级讲者带来氧化镓主题的重磅分享。杭州光学精密机械研究所所长、杭州富加镓业科技有限公司董事长齐红基，厦门大学教授杨伟锋，中国科学技术大学特任教授徐光伟，西安电子科技大学教授周弘，中山大学教授卢星，九峰山实验室高级工程师彭若诗，中国科学院上海微系统与信息技术研究所副研究员徐文慧，杭州镓仁半导体有限公司联合创始人、董事江继伟，杭州芯创德半导体有限公司总经理刘少煜、香港大学博士后研究员巩贺贺，中电科五十五所吴飞宏等专家学者将从材料生长、器件设计、集成技术到商业化前瞻等维度，带来最前沿的思考与实践。
除此之外，围绕衬底生长、外延工艺、器件设计、装备国产化、应用落地等核心方向，一批来自国家级科研院所、头部企业、高校团队的专家学者也将带来最新研究成果，覆盖从基础研究到产业应用的完整交流体系。更多报告持续确认中，敬请期待！
氧化镓的产业化号角已经吹响，但将实验室的卓越性能转化为稳定可靠的商业化产品，仍需产业链上下游通力协作，攻克材料一致性、器件可靠性、成本控制与应用验证等系列挑战。CSPSD 2026诚挚邀请氧化镓领域的科研先锋、产业从业者、投资机构与投资界人士齐聚上海，共话技术前沿，同谋产业未来，共同推动我国超宽禁带半导体产业高质量创新升级，抢占全球氧化镓产业发展的战略制高点。期待与您共赴行业盛会！
关于CSPSD2026详情
功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD ）是由半导体产业网重磅打造的先进半导体产业大会（CASICON）核心子品牌专项会议，深耕功率半导体与集成电路核心赛道，是国内该领域极具影响力的专业产业交流平台。
自创办以来，CSPSD系列会议获得了国内功率半导体器件与集成电路领域顶尖科研院所、高等院校以及全产业链上下游企业的高度认可与深度参与，汇聚了行业科研、技术、产业、市场等多方核心资源，具备扎实的行业口碑与产业基础。其中，2024年、2025年会议已先后携手电子科技大学、南京邮电大学，在成都、南京圆满成功举办两届，有效搭建了产学研协同交流桥梁，助力区域半导体产业创新发展。
CSPSD2024-2025回顾
立足产业发展新形势与技术迭代新趋势，2026功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2026)将落地上海，由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）指导，中国科学院上海微系统与信息技术研究所、半导体产业网、第三代半导体产业共同主办，持续升级会议规格与行业影响力。会议聚焦产业前沿热点与核心技术痛点，重点围绕硅基半导体、宽禁带/超宽禁带半导体材料、功率器件与集成电路集成应用、先进封装与异构集成技术、EDA工具、AI算力芯片、功率集成交叉学科创新应用等关键领域展开深度研讨。
作为国内功率半导体领域的重要学术与产业交流平台，本次会议设置“开幕大会+主题论坛+展览展示+参观考察+益企跑”等形式，目前首批50+嘉宾报告议题重磅揭晓，会议嘉宾阵容涵盖“产学研用”在内国家级科研院所专家、高校科研团队、头部企业领袖三大核心群体，报告议题更是覆盖从“基础研究 - 技术突破 - 产业应用 - 未来趋势” 的全方位交流体系，全力推动功率半导体与集成电路领域的技术革新、学术交流与产业协同发展，为我国半导体产业高质量创新升级赋能助力。
会议时间：2026年6月25-27日
会议地点：中国·上海·上海临港（维权）凯悦酒店
一、组织机构
指导单位：
第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）
主办单位：
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
极智半导体产业网
第三代半导体产业
承办单位：
集成电路材料全国重点实验室
北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司
学术协办：
电子科技大学
南京邮电大学
大会主席：狄增峰
联合主席：张波、吴伟东、程新红、赵璐冰
程序委员会委员：陈敬、张进成、柏松、唐为华、罗小蓉、张清纯、万玉喜、龙世兵、王来利、杨媛、张宇昊、杨树、刘斯扬、欧欣、章文通、陈敦军、耿博、郭清、蔡志匡、梁瑶、刘雯、邓小川、魏进、周琦、周弘、叶怀宇、张龙、包琦龙、金锐、姚佳飞、蒋其梦、明鑫、周春华、郑理、沈玲燕、张薇葭、黄森等
组织委员会：
主任：郑理
副主任：涂长峰、周学通、徐光伟、刘盼、魏杰
委员：周峰、王珩宇、
杨可萌、张珺、罗鹏、刘成、刘宇、张茂林、任开琳、王谦、张栋梁、刘晓博、王鹏、陈龙、李成、康俊杰、崔潆心、李道会、贾欣龙等
二、主题&征文方向
1.S1-硅基功率器件与集成技术
硅基、SOI基功率器件、可集成功率器件、器件仿真与设计技术、器件测试表征技术、器件可靠性、器件制造技术、功率集成IC技术；
2.S2-碳化硅功率器件与集成技术
碳化硅功率器件、器件设计与仿真技术、器件制造技术、器件测试与可靠性、可集成器件与功率集成技术；
3.G1-氮化镓、III/V族化合物半导体功率器件与功率集成
氮化镓功率器件、III/V族化合物（AlN、GaAs）半导体功率器件、器件设计与仿真技术、器件制造技术、器件测试与可靠性、可集成器件与功率集成技术；
4.G2-氧化镓/金刚石功率器件与集成技术
氧化镓/金刚石功率器件、器件设计与仿真技术、器件制造技术、器件测试与可靠性、可集成器件与功率集成技术；
5.P1-模组封装与应用技术
功率器件、模组与封装技术、先进封装技术与封装可靠性；
6.P2-面向功率器件及集成电路的核心材料、装备及制造技术
核心外延材料、晶圆芯片及封装材料、退火、刻蚀、离子注入等功率集成工艺平台与制造技术、制造、封装、检测及测试设备等；
7.P3-功率器件交叉领域及EDA
基于新材料（柔性材料、有机材料、薄膜材料、二维材料）的功率半导体器件设计、制造与集成技术；人工智能驱动的功率器件仿真，建模与设计、封装与测试。
三、会议日程
四、会议嘉宾（部分）
五、拟邀参会单位
中电科五十五所、电子科技大学、英飞凌、华虹半导体、扬杰科技、士兰微、捷捷微电、英诺赛科、中科院上海微系统所、氮矽科技、中科院微电子所、中科院半导体所、三安半导体、芯联集成、斯达半导体、中国科学技术大学、浙江大学、东南大学、复旦大学、西安电子科技大学、清华大学、北京大学、厦门大学、南京大学、天津大学、长飞半导体、华为、温州大学、海思半导体、瞻芯电子、基本半导体、华大九天、博世、中镓半导体、江苏宏微、苏州晶湛、百识电子、超芯星、南瑞半导体、西交利物浦大学、西安理工大学、北京智慧能源研究院、高芯（河南）半导体、中科院纳米所、平湖实验室、北京工业大学、南方科技大学、华南师范大学、立川、国电投核力创芯、华中科技大学、上海大学等
六、优秀功率半导体产品征集
为进一步推动我国功率半导体与集成电路领域学术研究与产业应用深度融合，促进前沿技术与市场需求高效对接，搭建优秀产品展示与交流平台，强化产业链上下游协同联动，完善产业生态建设，打造引领我国功率半导体器件与集成电路技术创新与产业高质量发展的标杆平台。2026功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2026）组委会研究决定，正式启动 “CSPSD 2026 优秀功率半导体产品征集活动”。→点击详情，参加申报的单位按照征集要求在2026年6月10日前在线填写并提交申报表单。
七、注册报名
1.注册及权益：注册费2800元，5月30日前注册报名2500元（含会议资料袋，6月26日午餐、欢迎晚宴、27日自助午餐及晚餐）。
2.在线报名
·扫码注册
扫码注册报名
·注册网址：（请复制链接至浏览器打开）https://forum.casicon.cn/e/4/checkout/create#order_form
八、益企跑活动
九、联系咨询
1.论文投稿
投稿录用后需现场参加POSTER展示，届时会评选出最佳POSTER，文章择优推荐到EI期刊《半导体学报》或《功能材料与器件学报》。
·投稿模板&摘要&海报要求附件下载：
2.投稿&报告咨询：
郑老师 15618636853，zhengli@mail.sim.ac.cn
贾老师 18310277858，jiaxl@casmita.com
李老师 18601994986，linan@casmita.com
征文&投稿专用邮箱：paper@cspsd.cn
3.赞助、展示及商务合作
贾先生 18310277858，jiaxl@casmita.com
张女士 13681329411，vivi@casmita.com
4.报名咨询：
芦老师：13601372457，luli@casmita.com
十、协议酒店及周边交通
①酒店信息
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②会议酒店周边交通信息
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沪上论道，芯向未来!
CSPSD2026
6月25-27日，邀您共赴行业盛会，
共探功率器件与集成电路技术前沿，
共筑产业新生态！
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