（来源：半导体芯情）

随着科技公司竞相迈向通用人工智能（AGI），客户开始承诺进行更长期的数据中心投资，推动先进存储与存储设备需求急剧上升，进而造成供应紧缺并推高价格。

存储芯片巨头企业美光表示，公司2026年的高带宽存储（HBM）芯片产能已经全部售罄，显示需求远远超过供应能力。目前，其下一代HBM4产品也已进入量产阶段。

资本市场对存储芯片巨头定价逻辑出现变化的根因，在于本次供不应求行情下，上游存储原厂与下游厂商的合作模式正逐渐发生改变。

倘若按照过往存储芯片市场趋势，通常2—3年将经历一轮行业周期轮转，每当需求旺盛但供应有限，将导致存储芯片价格上扬，但往往随着后续这些原厂加大市场供应，就会推动市场逐渐转向供过于求。

这是历年以来存储芯片周期的主要逻辑，也即“供不应求—扩产—供过于求—降价”，每逢降价周期，这些厂商就不得不面临大额亏损的压力。

但本轮行情的不同之处在于，AI大模型作为一个新兴成长性市场，其未来演变形态和应用场景都尚未明确，全球主流玩家（以云服务巨头谷歌、亚马逊、Meta为代表）为应对这种趋势，都在积极推动AI基础设施建设，且不惜成本，这导致短期内难以出现供需扭转的预期。

由此，这些云巨头也更愿意与存储原厂签订3—5年期长期协议（LTA）。不仅如此，有业内人士告诉21世纪经济报道记者，按照既往周期波动行情，以往原厂与手机厂商签订的协议多为1年为期，到期再根据手机厂商报出的下一年需求预测另行签约。但在目前看不到需求拐点的背景下，原厂已经有推动与手机厂商签订5年期LTA（长期协议）的底气。这样不仅可以保证对手机厂商的供应，同时在5年期的后半段，倘若市场供需环境出现变化，也能一定程度保证存储原厂的盈利能力。

根据TrendForce集邦咨询最新研究指出，自2H25以来，一般型DRAM（Conventional DRAM）价格大涨，反映供不应求形势之际，三大原厂的HBM年度议价机制，导致HBM合约价无法及时反映市场的季度涨价趋势。随着时序进入2Q26，买卖双方正在对2027年的主流产品HBM4供应进行谈判。TrendForce集邦咨询认为，基于DRAM供不应求市况、新旧世代HBM的高制造难度及高成本，三大原厂将于2027年大幅调高HBM的报价。

AI发展从大型模型训练转向以推理为核心的Agentic AI（代理式AI）应用，驱动存储器需求结构性扩张，由于供给缺口短期无法补足，推升价格上涨。因此，TrendForce集邦咨询大幅上调全球存储器产值预估，将2026年产值从前一版的5,516亿美元提高至8,893亿美元，2027年则预计由8,427亿美元上修至逾1.28万亿美元，年增率约44%。

海力士计划五年将产能翻倍！

对于存储产能，SK集团会长崔泰源6月2日称，SK海力士计划五年内将晶圆产能翻番。他表示，存储芯片产能瓶颈问题可能会持续到2030年。

美国骏利亨德森投资旗下“全球科技领袖基金”，计划买入SK海力士公司（SK Hynix Inc.）的股票。该基金押注全球内存芯片供应的进一步收紧，将让这家全球内存芯片制造龙头企业在过去一年暴涨1000%的基础上继续受益。

该基金的联席基金经理Richard Clode表示，SK海力士在高带宽内存（HBM）芯片全球市场上的主导地位，意味着它在明年可能会出现“更具爆发力的业绩增长”。

届时，此前签署的多年度供应合同，可能会在更高的价格水平上重新定价。

全球科技领袖基金目前管理资产规模达83亿美元，今年跑赢了96%的同类基金，过去三年的回报率达到了36%。目前，该基金持有SK海力士的同行——美国内存芯片制造商美光科技和闪迪的股票。

Clode表示：“目前，大多数人认为，今年的供应短缺在明年会变得更加严重。”

“这就是为什么客户愿意接受在外界看来如此极为严苛的条款，并签署这些长期合同。”

身处全球AI基础设施的“咽喉要道”，SK海力士及其竞争对手美光和三星电子三大巨头，目前的市值都已超过1万亿美元。

2023年存储芯片行业遭遇巨亏，各大厂商缩减开支、暂缓建厂，产能恢复需两三年。随着当前市场存储芯片供应紧缺，微软、谷歌等云巨头纷纷与这三大厂商签订长期供货协议。

Clode认为，在如此严峻的供应短缺下，挑选赢家远没有直接拥有仓位来得重要。

他还表示，相比于三星，他更倾向于纯粹的内存芯片公司，例如海力士和美光，因为三星的消费电子业务正受到成本上升的挤压，从而削弱了其整体盈利能力。

HBM或改写存储芯片周期

根据Counterpoint Research的数据，2025年第四季，SK海力士占全球HBM总收入的57%。三星和美光分别占22%和21%。

行业调研显示，SK海力士及美光2026年的HBM产能早已被客户“一抢而空”，甚至全额预付了定金。随着2026年进入尾声，此前签署的多年度供应合同将在明年陆续迎来续签和重新定价的窗口。

在当前“有钱也拿不到货”的卖方市场下，SK海力士将享受由供需错配带来的“爆发性溢价”，直接推高其毛利率和净利润表现。

在传统的存储芯片周期中，下游客户通常随用随买，价格随现货市场剧烈波动。长期以来，存储行业因“赚一年、亏两年”的强周期特性，在资本市场常常无法获得高估值。

多头认为，包括SK海力士在内的领先制造商，他们所生产的先进内存芯片的兴起，正在改变存储行业的周期性本质。从长远来看，这将使供需格局变得更加有利。

得益于利润的激增，这些内存芯片制造商的股票估值在经历了大涨后，依然保持着吸引力。美光的动态P/E约为10倍，而SK海力士和三星都在7倍左右——远低于美股费城半导体指数的27倍。

银的预测模型指出，美光HBM出货量2027年将增长约58%，HBM业务收入有望达到约253亿美元，并在2028年接近450亿美元。同时，HBM毛利率预计升至75%左右，接近甚至超过传统DRAM业务盈利能力。

该行还预计DRAM供不应求状态将持续至2028年第二季度，较此前预测进一步延长。NAND市场供需紧张时间窗口同样有所拉长，主要由于三星、SK海力士以及美光在扩产方面保持克制。

而SK海力士则在5月26日宣布，公司发布“iHBM”技术。该技术通过在HBM封装内集成一体化冷却元件“ICE*”，显著降低产品运行时的发热量。

SK海力士计划将iHBM技术应用于HBM5等下一代产品，以满足高性能计算（HPC）、AI数据中心等超高度集成、高带宽应用场景的严苛散热管控需求，进一步提升整体系统的稳定性与运行效率。

存储企业超强财报！

近日，三星公布了截至2026年3月31日的第一季度财报，显示业绩实现爆发式增长‌，不但远超市场预期，也超越了三星多项历史记录，包括首次单季营收突破100万亿韩元及营业利润突破50万亿韩元等，可以说交出了一份“超级财报”。

财报显示，三星2026年第一季度的营收为133.9万亿韩元（约合人民币6186.18亿元），高于去年同期为79.1万亿韩元，同比增长69%，也高于上一个季度的93.8亿韩元，环比增长43%;营业利润为57.2万亿韩元（约合人民币2642.64亿元），单季度就高于2025年全年43.6万亿韩元的营业利润，相比去年同期的6.7万亿韩元同比暴增756%，相比上一个季度的20.1万亿韩元环比飙升185%;毛利润为81.9万亿韩元（约合人民币3783.78亿元），远超去年同期的28.1万亿韩元，也大幅高于上一个季度的44.3万亿韩元;净利润为47.2万亿韩元（约合人民币2180.64亿元），大概是去年同期8.2万亿韩元的5.75倍，也远高于上一季度的19.6万亿韩元。

其中设备解决方案部门（DS）季度营收为81.7万亿韩元（约合人民币3774.54亿元），同比增长225%，环比增长86%，同时营业利润从去年同期的1.1万亿韩元飙升至53.7万亿韩元（约合人民币2480.94亿元），后者是前者的48.8倍。存储器产品销售额达到74.8万亿韩元（约合人民币3455.76亿元），同比增长292%，环比增长101%。

三星表示，由于存储业务在其细分市场的技术领先及更高的平均销售价格（ASP），从而创下了季度营收及营业利润的历史最高。有点令人想不到的是，传统DRAM产品带来的利润高于HBM产品，原因在于传统DRAM价格现在是季度协商，而HBM价格则是按年度锁定。三星计划很快交付首批HBM4E产品，并对PCIe 6.0 SSD产品的早期领先也持乐观态度。

美光科技发布2026财年第二季度财报，交出了一份创下多项历史纪录的亮眼成绩单。

美光高管在财报电话会上表示，受AI需求持续爆发、业内存储产品供应紧张以及公司先进技术量产落地的多重利好推动，美光第二财季营收、毛利率、自由现金流等核心财务指标均刷新历史峰值，各产品线、各业务板块全面开花，同时公司发布的第三季度业绩指引再度大幅超预期。

美光高管还提到，当前存储芯片行业处于供应短缺状态，且这种状况将持续至2026年以后，这为短期和中期的产品定价提供了坚实支撑。在旺盛需求驱动下，美光签署了首份五年期战略客户协议。

高管透露，美光专为英伟达 Vera Rubin 设计的HBM4 已批量出货，下一代产品HBM4E 研发顺利，有望2027年量产。同时，为了满足客户的强劲需求，美光将在未来两个财年内大幅加码资本支出，以兴建厂房和购买设备，从而提振产能。

过去几个季度，在人工智能需求推动下，SK海力士的利润率步步攀升。该公司表示，将战略性地扩大生产规模，以便能够积极应对中长期需求的增长。

财报显示，今年一季度，SK海力士营收为52.57万亿韩元，较上年同期增长了198.1%，略低于分析师预期的53.55万亿韩元；营业利润为37.61万亿韩元，较上年同期增长405.5%，略低于分析师预期的37.92万亿韩元，营业利润率达到了惊人的72%；净利润达到40.34万亿韩元，净利润率高达77%。

SK海力士解释说，尽管第一季度是传统季节性的淡季，但通过增加诸如HBM、高容量服务器DRAM模块和eSSD等高附加值产品的销售，营利率强劲增长。

该公司表示，DRAM和NAND产品价格大幅上涨，以及高附加值产品组合占比持续提升，随着AI计算对存储器的战略需求日益凸显，高性能存储供应仍处于受限状态，有利的定价环境预计将在一段时间内延续。

过去几个季度，在人工智能需求推动下，SK海力士的利润率步步攀升。

Counterpoint Research研究分析师MS Hwang表示，存储器公司第一季度的业绩“显示出强劲的盈利能力，并表明人工智能推理需要的内存比预期要多得多，各公司都在争相确保供应”。

他补充说，即使下半年内存价格上涨趋势放缓，SK海力士的利润今年仍可能继续增长。

中国企业资本联盟副理事长柏文喜表示，SK海力士实现35万亿韩元净现金头寸，有息债务降至19.3万亿韩元。SK集团董事长崔泰源甚至提出了净现金超100万亿韩元的中期目标，这与2023年Q1营业利润率-67%的谷底相比，完成了史诗级反转。

同时，SK海力士强调，由于客户需求持续超过供应能力，能够满足人工智能时代结构性增长的需求的能力已成为一项关键的竞争优势。

该公司表示，今年的投资将较去年大幅增长，增长动力来自M15X生产规模的扩大、以龙仁半导体集群为中心的基础设施建设，以及关键设备（如极紫外光刻设备）的采购。

SK海力士表示：“我们将战略性地扩大生产规模，以便能够积极应对中长期需求的增长。”该公司补充道：“通过在考虑市场需求的情况下进行投资，我们将确保供应的稳定性和财务的稳健性。”

就在4月22日，SK海力士表示，计划投资19万亿韩元（约合128.5亿美元），在韩国本土建设一座新的先进封装制造工厂，以满足全球对人工智能存储器不断增长的需求。

SK海力士在声明中写道，新的芯片制造厂将专门用于先进封装工艺，这一工艺对于制造诸如高带宽存储器（HBM）芯片等人工智能存储产品至关重要。该工厂将于本月开始动工建设。

除布局韩国本土产能外，SK海力士也在加快推进美国的先进封装项目。根据《Herald Economy》报道，该公司已正式在美国印第安纳州动工建设其首座半导体工厂，这标志着其2024年投资计划公布约两年后迈出重要一步。

这座美国工厂预计将在2028年下半年进入全面量产阶段，主要用于下一代AI存储产品的生产，包括HBM。按照规划，7代与8代HBM产品，即HBM4E与HBM5，将成为该工厂的核心生产产品。

SK海力士今年1月表示，其2026年的资本支出将从2025年的30.2万亿韩元大幅增长。上个月，该公司宣布计划斥资80亿美元从阿斯麦采购尖端的极紫外光刻芯片制造设备。

CLSA证券韩国研究主管Sanjeev Rana表示，由于客户内存库存低且供应增长有限，“未来几个季度利润将持续强劲增长”。CLSA证券预测SK海力士今年的资本支出将增长45%。他补充道：“市场需求旺盛，各公司都在想方设法提高产能。”

竞争对手三星计划今年投入超过110万亿韩元用于芯片产能扩张和研发，创纪录的资金投入旨在抢占人工智能半导体领域的领先地位。

中关村物联网产业联盟副秘书长袁帅表示，过去几个季度的高盈利已经为SK海力士积累了充足的现金流，无论是进一步投入研发巩固技术优势，还是灵活调整生产节奏应对市场变化，都有足够的安全垫，即便短期内存价格出现波动，也不会动摇公司全年的业绩基本盘，反而有可能通过价格波动出清部分竞争力不足的中小厂商，进一步提升自身的市场份额。

强劲的业绩凸显了全球存储芯片市场的持续增长势头，大型科技公司建设人工智能数据中心的需求限制了芯片供应，并推高了高端和普通存储芯片的价格。SK海力士生产用于存储数据的内存芯片，这些芯片广泛应用于从服务器到智能手机和笔记本电脑的各种设备中。

展望前路，SK海力士公司表示，计划通过继续开发并供应DRAM和NAND内存的新产品来应对多样化的内存需求。

该公司在财报中写道，人工智能正从大规模模型训练向自主式人工智能发展，这种人工智能能够反复在各种服务环境中进行实时推理。因此，对内存的需求基础正在不断扩大，涵盖了DRAM和NAND两种类型。

对于HBM（高带宽内存），该公司将进一步强化其综合执行能力，整合性能、良率、质量以及供应稳定性。在DRAM领域，将开始全面供应LPDDR6（全球首款采用10纳米级第六代1c工艺的产品），以及本月开始大规模生产的192GB SOCAMM2（基于相同工艺）。

根据市场追踪机构TrendForce的数据，第一季度某些DRAM芯片的合约价格比上一季度上涨了近83%，而某些NAND产品的价格飙升了约160%。

然而，根据Counterpoint Research的数据，三星在上一季度重新夺回了DRAM芯片收入榜首的位置。与此同时，SK海力士继续在HBM领域占据主导地位，市场份额高达57%。

Counterpoint补充道，由于内存价格上涨，DRAM市场已连续两个季度环比增长30%。内存价格上涨源于对HBM需求的激增，这占用了制造商的产能，导致近几个季度内存供应普遍短缺。

据报道，SK集团董事长Chey Tae-won在2026年3月表示，由于HBM需求持续超过供应，产能紧张，全球芯片晶圆短缺的情况可能会持续到2030年。他还补充说，增加晶圆供应至少需要四到五年时间，预计缺口将超过20%。

分析机构长城证券指出，存储行业缺货预计延续至2027年，存储合约价涨势同样将延续，产业链公司业绩有望持续高增。存储扩产+国产替代双轮驱动，设备材料将迎来高景气兑现期。

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